项目描述：
主要研究内容及技术指标：(1）基于SiC 及 IGBT 器件的物理机理分析及应用场景需要，研究制定SiC-IGBT器件技术规格书、器件技术性能检测分析技术，研制SiC-IGBT器件，并进行应用验证;
(2）研制新一代基于SiC-IGBT的高效光伏功率控制器、双向交直流变换器（ PCS)，搭建光储充示范应用研究试验平台Ⅰ个;( 3 )SiC-IGBT器件规格:1200V/50A、1200V/75A;
(4）多路光伏功率控制器（MPPT):输入四路，每路3KW;(5)交直流功率控制器（ PCS ):功率10KW，交流电压等级AC220V，直流电压等级 DC400V;
(6)申请发明专利2件、用新型专利2件。
现有工作基础与优势：
(1)项目目标技术可行性分析预评估
主要工作内容:控制器的原理仿真，开发实验平台建设，原理实验验证。
( 2）前期研究基础
前期在硬件的设计以及器件应用、样机制作和调试，积累了大量的设计经验，可以支撑碳化硅器件应用平台的开发。
项目研究内容、技术路线和创新点：
(1)利用碳化硅半导体器件研究控制器以及变换器;
(2）利用碳化硅器件有效提高功率器件的功率密度和效率，有效降低系统成本;
(3）仿真分析、自主研发、外协加工和实验验证的技术路线完成项目研究。
实施周期及项目费用：
( 1）实施计划周期:2022年6月15日-2023年12月31日。
( 2)项目计划总投入100万元。其中:专用设备购置费20 万元，材料采购10万元，外协加工合作费用15万元，器件检测验证费用10万元，样机制作费20万元，劳务费用25万元。